Para sa mga bisita sa Electronica 2024

I -book ang iyong oras ngayon!

Ang kailangan lang ay ilang mga pag -click upang magreserba ang iyong lugar at makuha ang booth ticket

Hall C5 Booth 220

Pagpaparehistro ng Advance

*pangalan ng Kumpanya
*Pangalan
*Pamagat

*Email address
*Numero ng telepono

*Bansa
*Makipag -ugnay sa window
*Petsa ng kaganapan

*Mensahe

Para sa mga bisita sa Electronica 2024

Lahat kayo ay nag -sign up! Salamat sa paggawa ng isang appointment!
Ipapadala namin sa iyo ang mga tiket ng booth sa pamamagitan ng email sa sandaling napatunayan namin ang iyong reserbasyon.

Bahay > Mga Produkto > Discrete Semiconductor Produkto > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > RS1E200BNTB

RFQs/ORDER (0)

Pilipino

Pilipino

3945708

RS1E200BNTB Image.

LAPIS Semiconductor

RS1E200BNTB

Humiling ng Quote

Mangyaring kumpletuhin ang lahat ng mga kinakailangang patlang gamit ang iyong impormasyon sa contact.Click "Isumite ang RFQ" Makikipag -ugnay kami sa iyo sa ilang sandali sa pamamagitan ng email.O mag -email sa amin:info@ftcelectronics.com

Reference Price (Sa US Dollars)

Sa stock

2500+

$0.217

Enquiry Online

Mga pagtutukoy

Numero ng Bahagi

RS1E200BNTB
Tagagawa / Brand

LAPIS Technology
Dami ng stock

Sa stock
Paglalarawan

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Lead Free Status / Katayuan ng RoHS

Lead libreng / RoHS compliant
Mga Datasheet

1.RS1E200BNTB.pdf
2.RS1E200BNTB.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier aparato Package

8-HSOP
serye

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 20A, 10V
Power pagwawaldas (Max)

3W (Ta), 25W (Tc)
packaging

Tape & Reel (TR)
Package / Kaso

8-PowerTDFN
Ibang pangalan

RS1E200BNTBTR
operating Temperature

150°C (TJ)
Salalayan Type

Surface Mount
Ang Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Tagagawa Standard Lead Time

40 Weeks
Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V
Type FET

N-Channel
FET Tampok

-
Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss)

30V
Detalyadong Paglalarawan

N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

Kaugnay na balita
Pagpapadala
Pagbabayad

Inilunsad ng AMD ang pagtatayo ng pangalawang yugto ng Bang...

Ang NVIDIA RTX 5090 graphics card ay may isang lugar ng GPU...

Ang Anthropic ay tumatanggap ng isa pang $ 4 bilyong pamumu...

Semi: Ang pagtaas ng benta ng IC ng 12% sa Q3, ang pagl...

Naiulat na ang Kioxia ay makakatanggap ng pag -apruba ng li...

Ang pinakabagong Silicon Optical Platform ng Tower Semicond...

Dahan -dahang bumabawi ang industriya.Ang epitaxial supplie...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tagapagtustos: Ang isang malaking bilang ng mga sangkap ng ...

Taiwan, ang halaga ng output ng China Semiconductor ay lala...

Ang pagpapalawak ng paggawa ng mga panel ng OLED, ang LG Di...

Pagpapadala

Pagbabayad

Ang sumusunod ay ang mga nauugnay na produkto ng "RS1E200BNTB".

RS1E240GNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1DLHRTG

Paglalarawan: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Mga Tagagawa: TSC (Taiwan Semiconductor)

Sa stock

RS1DLHRVG

Paglalarawan: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Mga Tagagawa: TSC (Taiwan Semiconductor)

Sa stock

RS1E350BNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1E280BNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1DLHRUG

Paglalarawan: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Mga Tagagawa: TSC (Taiwan Semiconductor)

Sa stock

RS1E300GNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1DLW RVG

Paglalarawan: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Mga Tagagawa: TSC (Taiwan Semiconductor)

Sa stock

RS1E320GNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1DLWHRVG

Paglalarawan: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Mga Tagagawa: TSC (Taiwan Semiconductor)

Sa stock

RS1E130GNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1E170GNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1E150GNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1E200GNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1E180BNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1G

Paglalarawan: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Mga Tagagawa: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Sa stock

RS1DTR

Paglalarawan: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Mga Tagagawa: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

Sa stock

RS1G M2G

Paglalarawan: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Mga Tagagawa: TSC (Taiwan Semiconductor)

Sa stock

RS1E280GNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

RS1E240BNTB

Paglalarawan: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Mga Tagagawa: LAPIS Semiconductor

Sa stock

Bilang nag -iisang pampublikong bukas na namamahagi ng merkado, nagtataglay kami ng isang natatanging kumbinasyon ng pandaigdigang pag -access, kadalubhasaan sa industriya ng pagmamanupaktura, at napatunayan na kalidad.Gamit ito, maaari kaming lumikha ng na-customize, end-to-end na mga solusyon sa chain chain para sa mga sangkap ng electronics na sourcing at pamamahala ng imbentaryo.

Sundan mo kami

Mga Tuntunin at Kundisyon Patakaran sa paglabag Humiling ng isang quote Tungkol sa atin Makipag-ugnayan sa amin Mapa ng Site

Piliin ang Wika

Mag -click sa puwang upang lumabas

Kasalukuyang wika

Piliin ang iyong bansa o rehiyon.