Para sa mga bisita sa Electronica 2024

I -book ang iyong oras ngayon!

Ang kailangan lang ay ilang mga pag -click upang magreserba ang iyong lugar at makuha ang booth ticket

Hall C5 Booth 220

Pagpaparehistro ng Advance

*pangalan ng Kumpanya
*Pangalan
*Pamagat

*Email address
*Numero ng telepono

*Bansa
*Makipag -ugnay sa window
*Petsa ng kaganapan

*Mensahe

Para sa mga bisita sa Electronica 2024

Lahat kayo ay nag -sign up! Salamat sa paggawa ng isang appointment!
Ipapadala namin sa iyo ang mga tiket ng booth sa pamamagitan ng email sa sandaling napatunayan namin ang iyong reserbasyon.

Bahay > Mga Produkto > Integrated Circuits (ICS) > memorya > 70V3579S4BF

RFQs/ORDER (0)

Pilipino

Pilipino

999272

70V3579S4BF Image.

IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S4BF

Humiling ng Quote

Mangyaring kumpletuhin ang lahat ng mga kinakailangang patlang gamit ang iyong impormasyon sa contact.Click "Isumite ang RFQ" Makikipag -ugnay kami sa iyo sa ilang sandali sa pamamagitan ng email.O mag -email sa amin:info@ftcelectronics.com

Reference Price (Sa US Dollars)

Sa stock

14+

$72.331

Enquiry Online

Mga pagtutukoy

Numero ng Bahagi

70V3579S4BF
Tagagawa / Brand

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Dami ng stock

Sa stock
Paglalarawan

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
Lead Free Status / Katayuan ng RoHS

Naglalaman ng lead / RoHS di-sang-ayon
Mga Datasheet

1.70V3579S4BF.pdf
2.70V3579S4BF.pdf
Sumulat Cycle Time - Word, Pahina

-
Boltahe - Supply

3.15 V ~ 3.45 V
teknolohiya

SRAM - Dual Port, Synchronous
Supplier aparato Package

208-CABGA (15x15)
serye

-
packaging

Tray
Package / Kaso

208-LFBGA
Ibang pangalan

IDT70V3579S4BF
IDT70V3579S4BF-ND
operating Temperature

0°C ~ 70°C (TA)
Salalayan Type

Surface Mount
Ang Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Type memory

Volatile
Size memory

1.125Mb (32K x 36)
memory Interface

Parallel
memory Format

SRAM
Tagagawa Standard Lead Time

10 Weeks
Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Detalyadong Paglalarawan

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 4.2ns 208-CABGA (15x15)
Numero ng Base Bahagi

IDT70V3579
Access Time

4.2ns

Kaugnay na balita
Pagpapadala
Pagbabayad

Naiulat na ang Kioxia ay makakatanggap ng pag -apruba ng li...

Ang pinakabagong Silicon Optical Platform ng Tower Semicond...

Dahan -dahang bumabawi ang industriya.Ang epitaxial supplie...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tagapagtustos: Ang isang malaking bilang ng mga sangkap ng ...

Taiwan, ang halaga ng output ng China Semiconductor ay lala...

Ang pagpapalawak ng paggawa ng mga panel ng OLED, ang LG Di...

Ang Amazon ay nagdaragdag ng mga pagsisikap upang lumikha n...

Ang Pegatron's Q3 Net Profit ay NT $ 4.296 bilyon, isan...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Plano ng South Korea na ipatupad ang Chip Act upang kontrah...

Pagpapadala

Pagbabayad

Ang sumusunod ay ang mga nauugnay na produkto ng "70V3579S4BF".

70V3569S6BF

Paglalarawan: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S5BCI

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S5BF

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S5BC8

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3569S6DR

Paglalarawan: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S5BC

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S4DR

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S5BCI8

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3569S6BF8

Paglalarawan: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S4BC8

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S4BF8

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3569S6BC

Paglalarawan: IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S5BCGI

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3569S6BFG

Paglalarawan: IC SRAM 576K PARALLEL 208FPBGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S4BC

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3569S6BC8

Paglalarawan: IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3579S4BCG

Paglalarawan: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

70V3569S6DRI

70V3569S6DRI

Paglalarawan: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Mga Tagagawa: IDT (Integrated Device Technology)

Sa stock

Bilang nag -iisang pampublikong bukas na namamahagi ng merkado, nagtataglay kami ng isang natatanging kumbinasyon ng pandaigdigang pag -access, kadalubhasaan sa industriya ng pagmamanupaktura, at napatunayan na kalidad.Gamit ito, maaari kaming lumikha ng na-customize, end-to-end na mga solusyon sa chain chain para sa mga sangkap ng electronics na sourcing at pamamahala ng imbentaryo.

Sundan mo kami

Mga Tuntunin at Kundisyon Patakaran sa paglabag Humiling ng isang quote Tungkol sa atin Makipag-ugnayan sa amin Mapa ng Site

Piliin ang Wika

Mag -click sa puwang upang lumabas

Kasalukuyang wika

Piliin ang iyong bansa o rehiyon.