Natapos ng Renesas Electronics ang pagkuha ng Gallium Nitride (GaN) na tagagawa ng TRANPHORM para sa isang nakaraang presyo ng pagbili na $ 339 milyon.Sa pagkumpleto ng transaksyon, inilunsad din ng Renesas Electronics ang 15 mga disenyo ng sanggunian na batay sa GaN.Ang pagkuha ng Renesas Electronics ng Transform ay tumindi ang kumpetisyon kasama ang Infineon sa patlang ng aparato ng GaN, dahil nakuha ni Infineon ang mga sistema ng GaN noong nakaraang taon.
Ang 15 na disenyo ng sanggunian na inilunsad ng Renesas Electronics ay sumasakop sa isang kumbinasyon ng naka -embed na pagproseso, supply ng kuryente, pagkakakonekta, at mga analog na produkto.Kasama dito ang disenyo ng teknolohiya ng grade GaN ng Transform na GaN, na nagsasama ng isang tatlo sa isang solusyon sa system system para sa mga charger ng baterya ng kotse at mga de -koryenteng sasakyan.
Si Chris Allexandre, Senior Vice President at General Manager of Power sa Renesas Electronics, ay nagsabi, "Sa pamamagitan ng pagsasama ng mga disenyo ng sangguniang turnkey mula sa mga teknolohiya ng parehong kumpanya, ang mga customer ay maaaring makinabang mula sa mga bagong produktong GaN. Ang pagdaragdag ng GaN sa aming portfolio ng produkto ay nagpapatibay din sa aming pangako sa pagbuoAng mga produkto at teknolohiya na ginagawang mas madali ang buhay ng mga tao.
Ang iba pang mga kamakailang hakbang na ginawa ng Renesas Electronics upang palakasin ang niche market na ito ay kasama ang pagbubukas ng pabrika ng Kofu, isang 300mm wafer fab na partikular na idinisenyo para sa mga produktong kapangyarihan;Magdagdag ng isang bagong linya ng produksiyon ng Silicon Carbide (SIC) sa pabrika ng Takasaki;At nakarating sa isang kasunduan sa Wolfspeed upang matiyak ang matatag na supply ng SIC wafers sa susunod na 10 taon.
Ang pagbabagong -anyo ay itinatag noong 2007 at headquarter sa Golita, California.Ang hinalinhan nito ay ang University of California, Santa Barbara.Ang Transform ay isang nangungunang tagabago sa patlang ng Gan Semiconductor, pagdidisenyo, pagmamanupaktura, at pagbebenta ng mataas na pagganap, lubos na maaasahang mga produktong kapangyarihan ng GaN na angkop para sa isang malawak na hanay ng mga aplikasyon ng conversion ng high-boltahe.Ang disenyo ng sanggunian na inilunsad sa oras na ito ay nagsasama ng isang 500W dalawang gulong na de -koryenteng sasakyan na onboard na charger ng baterya, isang tatlo sa isang aparato ng de -koryenteng sasakyan: inverter, onboard charger, DC/DC converter, isang 240W 48V na pinalawak na saklaw ng AC/DC adapter, at isang 3.6kWBidirectional Digital Power Supply DAB System.
Kung ikukumpara sa mga tradisyunal na aparato na batay sa silikon, ang malawak na mga materyales na bandgap (WBG) tulad ng GaN at SIC ay may mas mataas na kahusayan ng kuryente, mas mataas na dalas ng paglipat, at mas maliit na bakas ng paa, na ginagawa silang itinuturing na mga pangunahing teknolohiya para sa susunod na henerasyon ng mga semiconductors ng kapangyarihan.Hinihimok ng demand para sa mga de -koryenteng sasakyan, inverters, data server server, artipisyal na intelihensiya (AI), nababago na enerhiya, pag -convert ng pang -industriya, at mga aplikasyon ng consumer, ang mga produktong GaN at SIC ay inaasahang lumago nang mabilis sa susunod na dekada.
